IGBT/SiC等功率器件是光伏逆变器的核心半导体部件，负责实现直流-交流转换过程中的高频开关操作，性能的好坏直接影响光伏发电效率、功率密度和可靠性，而其所具备的如过压保护、过流保护、短路保护等功能，确保系统死后 生死异常情况下能够快速响应，避免设备损坏。

安森美（onsemi）为光伏市场提供一系列独特的解决方案，帮助客户应对设计挑战。

01 SiC MOSFET和IGBT技术：

安森美针对光伏逆变器设计提供了多款高性能碳化硅以及最新第七代 IGBT产品FS7，包括650V和1200V的SiC MOSFET和SiC二极管，混合SiC模块和全SiC模块配合最新的F5BP封装产品, 用于300kW+ 组串式逆变器，有助于提高系统功率密度与转换效率，降低整体系统成本。

最新的第 7 代 1200V QDual3 IGBT 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率，应用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗比同类最接近的竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸，支持客户渗入 浸透相同系统尺寸下，设计出发电能力更强的太阳能逆变器，并提供了一种即插即用的解决方案，即刻实现系统性能和能效的提升。

02 智能电源技术：

安森美的智能电源技术支持新一代的150kw智能商用逆变器，有助于提升市场占有率；

03 高能效封装:

安森美的IGBT FS7和Elite SiC MOSFET技术及高能效封装有助于推动产品力的发展；

04 定制化解决方案:

安森美提供定制化解决方案，助力客户实现最高能效的太阳能电池组；

05 垂直整合的SiC方案:

安森美提供从衬底到模块的端到端SiC方案，包括SiC晶球生长、衬底、外延、器件制造、集成模块和分立封装方案；

06 全球制造和支持能力:

安森美拥有全球领先的制造规模以及供应和支持能力，能够满足不同市场的需求。

安森美的IGBT/SiC等功率器件广泛应用光伏领域，并得到了客户的高度认可。近日，安森美IGBT/SiC等功率器件已入围维科杯·OFweek 2024卓越光伏零部件及配套品牌奖项，期待您的一票。

OFweek 2024 (第十五届) 太阳能光伏产业大会暨行业年度评选颁奖典礼将于2024年8月27日阿堵物 福寿膏中国·深圳隆重举办，现汇合 会集为网上投票阶段。